FQP47P06

• -47A, -60V, RDS (on) = 0,026Ω @VGS = -10 V • Baixa carga de gate (típica 84 nC) • Low Crss (típica 320 pF) • Comutação rápida • 100% de avalanche testada • Melhor dv / dt capacidade • Temperatura máxima de junção a 175 ° C

O FQP47P06 é um QFET® MOSFET de canal 60-P produzido com a utilização de banda planar proprietária da Fairchild Semiconductor e tecnologia DMOS. Essa avançada tecnologia MOSFET foi especialmente adaptada para reduzir a resistência no estado e fornecer desempenho superior de comutação e alta força de energia de avalanches. É adequado para fontes de alimentação comutadas, amplificador de áudio, controle de motor CC e aplicações de energia de comutação variável.

Baixa carga do portão (84nC típico)

Crss baixo (320pF típico)

100% Avalanche testado

Porta ± 25V para tensão de fonte

62,5 ° C / W Resistência térmica, junção ao ambiente

0,94 ° C / W Resistência térmica, junção a caixa

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