TPC8009H

Ficha técnica     TPC8009-H

   Tipo de transistor: MOSFET

   Tipo de controle Canal: N - Canal

   Pd ⓘ - Dissipação de potência máxima: 1,9 W

   |Vds|ⓘ - Tensão máxima dreno-fonte: 30 V

   |Vgs|ⓘ - Tensão máxima porta-fonte: 20 V

   |Vgs(th)| ⓘ - Tensão máxima porta-limiar: 2,3 V

   |Id| ⓘ - Corrente de dreno máxima: 13 A

   Tj ⓘ - Temperatura máxima da junção: 150 °C

   Qg ⓘ - Carga total da porta: 16 nC

   tr ⓘ - Tempo de subida: 5 nS

   Cossⓘ - Capacitância de saída: 600 pF

   Rds ⓘ - Resistência máxima do estado ligado da fonte-dreno: 0,01 Ohm

   Pacote: SOP8