MJE15032-G

Transistores bipolares - BJT  - MJE15032-G
Encapsulamento: TO-220-3 
Polaridade do transistor: NPN 
Tensão do Coletor-Emissor VCEO Max: 250 V 
Coletor Base de tensão VCBO: 250 V 
Base de Dados de Emissor Tensão VEBO: 5 V 
Tensão de saturação coletor-emissor: 500 mV 
DC máxima Corrente do coletor: 8A 
Pd - Dissipação de energia: 50 W 
Gain Bandwidth produtos FT: 30MHz 
Temperatura Mínima de Operação: - 65ºC 
Temperatura Máxima de Operação: + 150ºC