Modelo: MODULO IGBT MG100Q2YS1
MODULO IGBT MG100Q2YS1 - TOSHIBA..
R$600,00
Modelo: MODULO IGBT IXSN35N120U1
IGBT de 38 A, 1200 V, N-CANAL..
R$210,00
Modelo: MODULO IGBT BSM50GP120
MODULO IGBT BSM50GP120 EUPEC..
R$650,00
Modelo: GT50J322
GT50J322, IGBT DO CANAL N DO TRANSISTOR BIPOLAR DE GATE BIPOLAR DE PORTA ISOLADA..
R$45,00
Modelo: G20N50C
G20N50CMOSFET, CANAL N, 500V, 20A, TO-247AC-3; Polaridade do transistor: Canal N; Tensão da fonte de drenagem Vds: 500V; ID de corrente de drenagem contínua: 20A; On Resistance Rds (on): 0,225 ohm; Montagem do transistor: Orifício de passagem; Rds (on) Tensão de teste Vgs: 10V ..
R$40,00
Modelo: 40N60-NPFD
40N60NPFD - 40A, 600V, IGBT, Transistor1. 40A, 600V, VCE(sat)(typ.)=1.8V@IC=40A2. Low conduction loss3. Fast switching4. High input impedanceAbsolute maximum ratings ( Ta=25°C )1. Collector to Emitter Voltage : VCE = 600 V2. Gate to Emitter Voltage : VGE = ±20 V3. Col..
R$35,00