MODULOS IGBT / PONTES

40N60NPFD - 40A, 600V, IGBT, Transistor1. 40A, 600V, VCE(sat)(typ.)=1.8V@IC=40A2. Low conduction loss3. Fast switching4. High input impedanceAbsolute maximum ratings ( Ta=25°C )1. Collector to Emitter Voltage : VCE = 600 V2. Gate to Emitter Voltage : VGE = ±20 V3. Col..

G20N50CMOSFET, CANAL N, 500V, 20A, TO-247AC-3; Polaridade do transistor: Canal N; Tensão da fonte de drenagem Vds: 500V; ID de corrente de drenagem contínua: 20A; On Resistance Rds (on): 0,225 ohm; Montagem do transistor: Orifício de passagem; Rds (on) Tensão de teste Vgs: 10V ..

GT50J322, IGBT DO CANAL N DO TRANSISTOR BIPOLAR DE GATE BIPOLAR DE PORTA ISOLADA..

MODULO IGBT BSM50GP120 EUPEC..

MODULO IGBT IGCM15F60GAMÓDULO IPM, IGBT, 600V, 15A, DIP; Tipo de motor: CA trifásico; Nº de saídas: 6 saídas; Corrente de saída: 15A; Tensão de saída: 600V; Estilo da caixa do driver: DIP; Nº de pinos: 24 ; Tensão de alimentação mínima: 13,5 V; Tensão de alimentação máxima: 18,5 V; Operacional RoH..

IGBT de 38 A, 1200 V, N-CANAL..

MODULO IGBT MG100Q2YS1 - TOSHIBA..

MODULO IGBT SK15DGDL126ET..

MR4010 - IGBT..

PONTE DIODO C39M-06-C..

PONTE DF08-M..