BUZ111-S

Designador de tipo: BUZ111S

Tipo de transistor: MOSFET

Tipo de canal de controle: N-Channel

Dissipação de potência máxima (Pd): 300 W

Tensão máxima da fonte de drenagem | Vds |: 55 V

Tensão máxima da porta-fonte | Vgs |: 20 V

Tensão máxima do limiar de porta | Vgs (th) |: 4 V

Corrente máxima de drenagem | Id |: 80 A

Temperatura máxima de junção (Tj): 175 ° C

Carga Total da Porta (Qg): 125 nC

Tempo de subida (tr): 30 nS

Capacitância da fonte de drenagem (Cd): 1100 pF

Resistência máxima no estado da fonte de drenagem (Rds): 0,008 Ohm