Model: RGT30NS65D
RGT30NS65D IGBT - TO263Tipo de canal IGBT: canal NDissipação máxima de energia (Pc), W: 66Tensão máxima do coletor-emissor | Vce |, V: 650Tensão de saturação do coletor-emissor | Vcesat |, V: 1,65Tensão máxima do emissor-porta | Veg |, V: 30Corrente máxima do coletor | Ic |, ..
R$25,00
Model: RFD14N05L
RFD14N05L (to251aa/ipak)Logic Level, N-Channel Power Mosfets·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25?) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VDSS Drain-Source Voltage 50 V VGS Gate-Source Voltage-Continuous ±10 V ID Drain Current-Continuous 14 A PD Total Dissipation @TC=25? 48 W Tj Max. Operating Junction Temp..
R$12,00
Model: MPSL01
MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Collector−Emitter Voltage VCEO 120 Vdc Collector−Base Voltage VCBO 140 Vdc Emitter−Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Collector Current — Continuous IC 150 mAdc Total Device Dissipation @ TA = 25°C Derate above 25°C PD 625 5.0 mW mW/°C Total Device Dissipation @ TC = ..
R$0,30
Model: MPSA42
Especificações:– Transistor MPSA42
– Tensão coletor-emissor Vceo: 300VDC
– Tensão coletor-base Vcbo: 300VDC
– Tensão emissor-base Vebo: 6VDC
– Corrente coletor Ic: 500mA
– Encapsulamento: TO-92
– Temperatura de operação: -55 a 150°C..
R$0,15
Model: MMBT3904-LT1(smd-sot23)
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 330mW - SOT23..
R$1,00