Model: IRF3205
IRF 3205 Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A?..
R$6,00
Model: GT50J322
GT50J322, IGBT DO CANAL N DO TRANSISTOR BIPOLAR DE GATE BIPOLAR DE PORTA ISOLADA..
R$45,00
Model: GT15J101
TRANSISTOR 15 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-3PN, TO-3PN, 3 PIN, Transistor BIP com porta isolada..
R$35,00
Model: G20N50C
G20N50CMOSFET, CANAL N, 500V, 20A, TO-247AC-3; Polaridade do transistor: Canal N; Tensão da fonte de drenagem Vds: 500V; ID de corrente de drenagem contínua: 20A; On Resistance Rds (on): 0,225 ohm; Montagem do transistor: Orifício de passagem; Rds (on) Tensão de teste Vgs: 10V ..
R$40,00
Model: G10N60A
G10N60A, SGB10N60A - IGBTrápido na tecnologia NPTTipo PG-TO-263-3-2..
R$25,00
Model: FQP47P06
• -47A, -60V, RDS (on) = 0,026Ω @VGS = -10 V • Baixa carga de gate (típica 84 nC) • Low Crss (típica 320 pF) • Comutação rápida • 100% de avalanche testada • Melhor dv / dt capacidade • Temperatura máxima de junção a 175 ° CO FQP47P06 é um QFET® MOSFET de canal 60-P produzido com a utilização de..
R$6,00
Model: DIODO V80100P
DIODO Schottky Rectifiers 80Amp, Diode Schottky TRENCH SKY 100V 80A ..
R$35,00
Model: D55L104G
NTD3055L104GPOTÊNCIA DE NÍVEL LÓGICO DE CANAL N ÚNICO MOSFET 60V, 12A, 104MΩ, DPAK (CALIBRE ÚNICO) TO-252..
R$9,50
Model: D45H11
D45H11GP BJT PNP 80V 10A - Epitaxial Silicon 3-Pin TO-220..
R$20,00