Modelo: BC177-Y
BC 177-YBipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, PNP, 45 V, 200 mA, 600 mW, TO-18, Through Hole..
R$12,00
Modelo: 40N60-NPFD
40N60NPFD - 40A, 600V, IGBT, Transistor1. 40A, 600V, VCE(sat)(typ.)=1.8V@IC=40A2. Low conduction loss3. Fast switching4. High input impedanceAbsolute maximum ratings ( Ta=25°C )1. Collector to Emitter Voltage : VCE = 600 V2. Gate to Emitter Voltage : VGE = ±20 V3..
R$35,00
Modelo: 2SK2917
2SK2917Transistor de efeito de campo TOSHIBA Silício Canal N Tipo MOS (π − MOSV) Regulador do chopper...
R$35,00
Modelo: 2SJ133-ZE1(TO252)
Designador de tipo: 2SJ133Tipo de transistor: MOSFETTipo de canal de controle: P-ChannelDissipação de potência máxima (Pd): 20 WTensão máxima da fonte de drenagem | Vds |: 60 VTensão máxima da porta-fonte | Vgs |: 20 VCorrente máxima de drenagem | Id |: 2 ATemperatura máx..
R$20,00