Modelo: 40N60-NPFD
40N60NPFD - 40A, 600V, IGBT, Transistor1. 40A, 600V, VCE(sat)(typ.)=1.8V@IC=40A2. Low conduction loss3. Fast switching4. High input impedanceAbsolute maximum ratings ( Ta=25°C )1. Collector to Emitter Voltage : VCE = 600 V2. Gate to Emitter Voltage : VGE = ±20 V3..
R$35,00
Modelo: 2SK2917
2SK2917Transistor de efeito de campo TOSHIBA Silício Canal N Tipo MOS (π − MOSV) Regulador do chopper...
R$35,00
Modelo: 2SJ133-ZE1
Designador de tipo: 2SJ133 (TO252)Tipo de transistor: MOSFETTipo de canal de controle: P-ChannelDissipação de potência máxima (Pd): 20 WTensão máxima da fonte de drenagem | Vds |: 60 VTensão máxima da porta-fonte | Vgs |: 20 VCorrente máxima de drenagem | Id |: 2 ATe..
R$20,00
Modelo: 2SD1314
2SD1314Modelo: Bipolar de JunçãoCanal: NPNTensão: 350VCorrente: 25AEncapsulamento: TO-3P..
R$25,00
Modelo: 2SD1207
2SD1207Polaridade: NPNDissipação máxima de energia do coletor (Pc): 1 WTensão máxima da base do coletor | Vcb |: 60 VTensão máxima do coletor-emissor | Vce |: 50 VTensão Base Máxima do Emissor | Veb |: 6 VCorrente máxima do coletor | Ic máx |: 2 AMáx. Temperatura de opera..
R$4,00
