TRANSISTORES

D45H11GP BJT PNP 80V 10A - Epitaxial Silicon 3-Pin TO-220..

AO4466 (smd-sop8)MOSFET de 30 V N-Channel..

Designador de tipo: BUZ111STipo de transistor: MOSFETTipo de canal de controle: N-ChannelDissipação de potência máxima (Pd): 300 WTensão máxima da fonte de drenagem | Vds |: 55 VTensão máxima da porta-fonte | Vgs |: 20 VTensão máxima do limiar de porta | Vgs (th) |: 4 VCo..

• Collector - emitter sustaining voltage - VCEO (sus) = 450 V (minimum)• Collector - emitter saturation voltage - VCE (sat) = 1.5 V (maximum) at IC = 8 A• Switching time - tf = 0.8 µs (maximum) at IC = 8 A..

Máxima tensão de coletor [VCEO]              700V Maxima tensão base emissor [VEBO] 7,5V Máxima corrente de coletor [IC] 5A Ganho [hfe] 3,8 - 12 Potência 45W   ..

BTA41-800B - (40A - 800V)..

BTA 40-800B..

BTA204S-800E (smd-sot252)800V, 4A, Triac, 3Q Hi-Com..

Tipo de tiristor Triac Tipo de embalagem TO-220, PLÁSTICO, TO-220AB, 3 PINOS Contagem de pinos 3 VDRM 400 volts TI (RMS) 20 amperes ..

Descrição BTA16-600B Tensão máxima de operação 600V Corrente de pico (não repetitiva)             16A Corrente nominal de operação 4A Corrente de Gate 50mA ..

BTA12-600-B..

Descrição BT139-800 Tensão máxima de operação 800V Corrente de pico (não repetitiva)             140A Corrente nominal de operação 16A Corrente de Gate 5mA ..