TRANSISTORES

GT50J322, IGBT DO CANAL N DO TRANSISTOR BIPOLAR DE GATE BIPOLAR DE PORTA ISOLADA..

TRANSISTOR 15 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-3PN, TO-3PN, 3 PIN, Transistor BIP com porta isolada..

G10N60A, SGB10N60A - IGBTrápido na tecnologia NPTTipo PG-TO-263-3-2..

• -47A, -60V, RDS (on) = 0,026Ω @VGS = -10 V • Baixa carga de gate (típica 84 nC) • Low Crss (típica 320 pF) • Comutação rápida • 100% de avalanche testada • Melhor dv / dt capacidade • Temperatura máxima de junção a 175 ° CO FQP47P06 é um QFET® MOSFET de canal 60-P produzido com a utilização de..

DIODO Schottky Rectifiers 80Amp, Diode Schottky TRENCH SKY 100V 80A ..

NTD3055L104GPOTÊNCIA DE NÍVEL LÓGICO DE CANAL N ÚNICO MOSFET 60V, 12A, 104MΩ, DPAK (CALIBRE ÚNICO) TO-252..

D45H11GP BJT PNP 80V 10A - Epitaxial Silicon 3-Pin TO-220..

AO4466 (smd-sop8)MOSFET de 30 V N-Channel..

Designador de tipo: BUZ111STipo de transistor: MOSFETTipo de canal de controle: N-ChannelDissipação de potência máxima (Pd): 300 WTensão máxima da fonte de drenagem | Vds |: 55 VTensão máxima da porta-fonte | Vgs |: 20 VTensão máxima do limiar de porta | Vgs (th) |: 4 VCo..

• Collector - emitter sustaining voltage - VCEO (sus) = 450 V (minimum)• Collector - emitter saturation voltage - VCE (sat) = 1.5 V (maximum) at IC = 8 A• Switching time - tf = 0.8 µs (maximum) at IC = 8 A..

Máxima tensão de coletor [VCEO]              700V Maxima tensão base emissor [VEBO] 7,5V Máxima corrente de coletor [IC] 5A Ganho [hfe] 3,8 - 12 Potência 45W   ..

BTA41-800B - (40A - 800V)..