TRANSISTORES

RGT30NS65D IGBT - TO263Tipo de canal IGBT: canal NDissipação máxima de energia (Pc), W: 66Tensão máxima do coletor-emissor | Vce |, V: 650Tensão de saturação do coletor-emissor | Vcesat |, V: 1,65Tensão máxima do emissor-porta | Veg |, V: 30Corrente máxima do coletor | Ic |, ..

RFD14N05L (to251aa/ipak)Logic Level, N-Channel Power Mosfets·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25?) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VDSS Drain-Source Voltage 50 V VGS Gate-Source Voltage-Continuous ±10 V ID Drain Current-Continuous 14 A PD Total Dissipation @TC=25? 48 W Tj Max. Operating Junction Temp..

PN2907-A..

PN2907 (smd-sot23)..

2N2222-A (TO-92 40V 600mA NPN)..

MUR860-G..

MR4010 - IGBT..

MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Collector−Emitter Voltage VCEO 120 Vdc Collector−Base Voltage VCBO 140 Vdc Emitter−Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Collector Current — Continuous IC 150 mAdc Total Device Dissipation @ TA = 25°C Derate above 25°C PD 625 5.0 mW mW/°C Total Device Dissipation @ TC = ..

MPSA 56..

Especificações:– Transistor MPSA42 – Tensão coletor-emissor Vceo: 300VDC – Tensão coletor-base Vcbo: 300VDC – Tensão emissor-base Vebo: 6VDC – Corrente coletor Ic: 500mA – Encapsulamento: TO-92 – Temperatura de operação: -55 a 150°C..

Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 330mW - SOT23..

Transistores bipolares de junção - BJT - MJE15033-G Encapsulamento: TO-220-3 Polaridade do transistor: PNP Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: - 250 V Coletor VCBO de voltagem básica: - 250 V Emissor - VEBO de tensão de base: - 5 V Tensão de saturação do coletor - emissor: - 500 mV Co..