TRANSISTORES

Código de fabricação: 2SK4115Código de marcação: K4115Tipo de transistor: MOSFETTipo de canal de controle: Canal NClassificações máximas absolutasPd ⓘ - Dissipação de potência máxima: 150 W|Vds|ⓘ - Tensão máxima entre dreno e fonte: 900 V|Vgs|ⓘ - Tensão máxima entre porta e fonte: 30 V|Id| ⓘ - Corre..

IRG4PC60UIGBT-N 600V 75A TO-247AC..

BCX53-16 (sot-89)transistor bipolar com tensão nominal de 80V e corrente máxima de 1000mA, encapsulado em SOT-89..

MJE13003 - TO92Transistor de potência de silício NPN 300 e 400 volts 40 watts..

2SD2704 Transistor NPN 20V 0.3Asmd - sot23..

MOSFET N-CH 30V 60A (TO263AB)..

SGM2032-ADJYN5G/TR  (S5ELF) SOT-23-5Gerenciamento de energia (PMIC)/Reguladores de tensão - Reguladores lineares de baixa queda (LDO) Corrente de saída 300mA Taxa de rejeição da fonte de alimentação (PSRR) 75dB@(1kHz) corrente de espera 120uA Queda de tensão 270mV@(300mA) Tipo de saída Aju..

Ficha técnica     TPC8009-H   Tipo de transistor: MOSFET   Tipo de controle Canal: N - Canal   Pd ⓘ - Dissipação de potência máxima: 1,9 W   |Vds|ⓘ - Tensão máxima dreno-fonte: 30 V   |Vgs|ⓘ - Tensão máxima porta-fonte: 20 V  &nbs..

AMPLIFICADOR DE FREQUÊNCIA DE ÁUDIO NPN TRANSISTOR 150mW 150mA 50VSOT 23..

IRFHS8342 - QFN6Mosfet de canal N, 30 V, 8,8 A, 6-Pqfn; Tipo de canal: Canal N; Tensão da fonte de dreno Vds: 30 V; Id de corrente de dreno contínua: 8,8 A; Montagem do transistor: Montagem em superfície; Tensão de teste Rds (ligado): 10 V; Tensão limite da fonte de gate máx.: 1,8 V..

STD1NK60T4 - N-CHANNEL 600V - 8 - 1A DPAK..

BTA 40-700BTriacs 40 Amp 700 Volt 50mA TRIAC..